پیشرفتی جدید از چینیها برای تولید انبوه تراشههای نیمهرسانا
دانشمندان چینی به پیشرفت بزرگی در زمینه تولید تراشههای نیمهرسانا دست یافتهاند.
باشگاه خبرنگاران جوان؛ مجید فراهانی - به گزارش روزنامه ساوت چاینا مورنینگ پست، دانشمندان چینی از توسعه فناوری جدیدی خبر دادهاند که امکان تولید انبوه تراشههای نیمهرسانا بر اساس مواد دوبعدی را فراهم میکند.
این روزنامه گزارش داد که یک تیم علمی به رهبری وانگ جیانلین از دانشگاه جنوب شرقی نانجینگ، با همکاری وانگ شینران و لی تائوتائو از دانشگاه نانجینگ، با توسعه یک تکنیک جدید رشد کریستال که آنها را قادر به تولید یک ویفر تک کریستالی دیسولفید مولیبدن (MoS₂) به طول ۱۵ سانتیمتر می سازد، به موفقیت قابل توجهی دست یافتند.
در طول فرآیند رشد کریستال، دانشمندان در مرحله خاصی از واکنش شیمیایی اکسیژن اضافه کردند که رشد کریستال را تسریع کرد، خواص الکترونیکی آن را بهبود بخشید و احتمال نقص را کاهش داد.
به گفته این روزنامه، این تکنیک راه را برای تولید انبوه تراشههای نیمهرسانا ساخته شده از مواد دوبعدی هموار میکند.
او همچنین خاطرنشان کرد که دانشمندان چینی سهم قابل توجهی در تحقیقات روی مواد نیمههادی دوبعدی مختلف داشتهاند که میتواند به عنوان جایگزینی برای سیلیکون در آینده عمل کند.
منبع: RIA Novosti
